這(zhe)里，報道了(le)關于(yu)如何調(diao)制石墨烯晶(jing)體管的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)學性(xing)質，這(zhe)反映了(le)由(you)2D材料和SiO2介電(dian)(dian)(dian)基板之間夾層(ceng)偶(ou)極分(fen)(fen)子組成(cheng)的(de)(de)(de)納(na)米厚度(du)層(ceng)的(de)(de)(de)性(xing)質。由(you)于(yu)電(dian)(dian)(dian)場處于(yu)低溫度(du)，偶(ou)極分(fen)(fen)子中超分(fen)(fen)子指令程度(du)度(du)部(bu)分(fen)(fen)提高，在晶(jing)體管的(de)(de)(de)轉移曲(qu)線中出現了(le)滯后現象可以解釋(shi)這(zhe)一現象。用(yong)源于(yu)相同的(de)(de)(de)族和適當(dang)設計的(de)(de)(de)分(fen)(fen)子與(yu)電(dian)(dian)(dian)介質表面相互作(zuo)用(yong)，滯后現象消(xiao)失。?DFT計算(suan)證實，通過外部(bu)電(dian)(dian)(dian)場修飾的(de)(de)(de)分(fen)(fen)子表現出多(duo)個能量最小值(zhi)，這(zhe)一情(qing)況解釋(shi)了(le)觀察(cha)到的(de)(de)(de)熱穩定(ding)電(dian)(dian)(dian)容耦(ou)合作(zuo)用(yong)…