高質(zhi)量(liang)石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)在(zai)介電(dian)(dian)基(ji)(ji)(ji)板上的(de)(de)直接化(hua)學氣(qi)相(xiang)沉積生(sheng)長為(wei)電(dian)(dian)子和(he)(he)光電(dian)(dian)子學中的(de)(de)實際應用提供了(le)(le)廣闊(kuo)的(de)(de)前(qian)(qian)景。然(ran)而，石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)在(zai)電(dian)(dian)介質(zhi)上的(de)(de)生(sheng)長總是存在(zai)不均(jun)勻性和(he)(he)/或質(zhi)量(liang)差的(de)(de)問題。在(zai)此，本文(wen)首先揭示(shi)了(le)(le)一種新的(de)(de)前(qian)(qian)體修(xiu)飾策略可以成(cheng)功地抑(yi)制石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)的(de)(de)二次成(cheng)核，從而在(zai)介電(dian)(dian)基(ji)(ji)(ji)板上形成(cheng)超均(jun)勻的(de)(de)石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)單層膜(mo)。研究機理(li)發現(xian)，二氧化(hua)硅基(ji)(ji)(ji)質(zhi)的(de)(de)羥基(ji)(ji)(ji)化(hua)削弱了(le)(le)石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)邊緣與基(ji)(ji)(ji)底之間的(de)(de)結(jie)合，從而實現(xian)了(le)(le)初級成(cheng)核主導(dao)的(de)(de)生(sheng)長。基(ji)(ji)(ji)于石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)薄(bo)膜(mo)的(de)(de)場(chang)效應晶體管顯示(shi)…